mit hoher Elektronenbeweglichkeit

См. также в других словарях:

• Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit — didelio elektronų judrio tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. high electron mobility transistor vok. Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit, m rus. транзистор с высокой подвижностью электронов, m pranc.… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• Elektronenbeweglichkeit — Die Beweglichkeit bzw. Mobilität μ als physikalischer Begriff ist definiert über die konstante Geschwindigkeit , welche ein Körper (asymptotisch) erreicht, wenn an ihn eine konstante Kraft angreift. In der Elektrodynamik wird die Beweglichkeit in …   Deutsch Wikipedia

• HEMT — Der High Electron Mobility Transistor (HEMT, dt. »Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit«) ist eine spezielle Bauform des Feldeffekttransistors für sehr hohe Frequenzen und ist von der Konstruktion her eine spezielle Bauform eines JFETs.… …   Deutsch Wikipedia

• High Electron Mobility Transistor — Der High Electron Mobility Transistor (HEMT, dt. »Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit«) ist eine spezielle Bauform des Feldeffekttransistors für sehr hohe Frequenzen und ist von der Konstruktion her eine spezielle Bauform eines JFETs.… …   Deutsch Wikipedia

• High-electron-mobility transistor — Querschnitt eines InGaAs pseudomorphen HEMT Der high electron mobility transistor (HEMT, dt. »Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit«) ist eine spezielle Bauform des Feldeffekttransistors für sehr hohe Frequenzen und ist von der… …   Deutsch Wikipedia

• HEMT —   [eɪtʃiːem tiː; Abkürzung für englisch high electron mobility transistor, »Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit«], ein Feldeffekttransistor mit künstlicher Mikrostruktur auf Galliumarsenidbasis für Höchstfrequenz Halbleiterbauelemente.… …   Universal-Lexikon

• didelio elektronų judrio tranzistorius — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. high electron mobility transistor vok. Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit, m rus. транзистор с высокой подвижностью электронов, m pranc. transistor à haute mobilité d électrons, m …   Radioelektronikos terminų žodynas

• high-electron mobility transistor — didelio elektronų judrio tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. high electron mobility transistor vok. Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit, m rus. транзистор с высокой подвижностью электронов, m pranc.… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• transistor à haute mobilité d'électrons — didelio elektronų judrio tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. high electron mobility transistor vok. Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit, m rus. транзистор с высокой подвижностью электронов, m pranc.… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• транзистор с высокой подвижностью электронов — didelio elektronų judrio tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. high electron mobility transistor vok. Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit, m rus. транзистор с высокой подвижностью электронов, m pranc.… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• Gunndiode — Schaltzeichen einer Gunndiode Die Gunndiode oder Gunn Diode ist ein Halbleiter Bauelement, das für die Mikrowellenerzeugung eingesetzt wird. Grundlage ist der 1963 von John Battiscombe Gunn entdeckte Gunn Effekt. Aufbau Genau genommen ist die… …   Deutsch Wikipedia